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http://udn.com/NEWS/STOCK/STO1/7405859.shtml

三星今年在晶圓代工市場布局腳步積極,並且連續兩年大幅拉升資本支出規模,研調機構拓墣示警,三星明年在晶圓代工市場全面進攻策略,將是衝擊半導體產業的最大變數,原因即在於三星將把記憶體產能大舉轉進晶圓代工,三星產能大規模提升後,將大幅縮小與台積電的產能差距,加上包括格羅方德等大廠的來勢洶洶,預估台積電明年在28奈米製程的市占率將從今年的8成滑落至5成。

三星在半導體市場勢力已逐步由記憶體延伸至晶圓代工,為晶圓代工產業投下震撼彈,拓墣半導體研究中心副理陳蘭蘭指出,三星明年將全面進攻晶圓代工市場,除了連續兩年大舉提高資本支出外,三星大舉將記憶體產能轉進晶圓代工將大幅拉升代工產能,今年三星的代工產能約是台積電的三分之一,預估到明年,雙方的產能差距將拉近為二分之一。

特別值得關注的是,三星的12吋晶圓廠產能今年已經超越聯電(2303)和格羅方德(GF),三星將記憶體產能轉進代工的挹注下,加上格羅方德也積極擴充高階製程產能,台積電明年來自產能開出導致低價競爭的壓力升溫,而台積電今年受惠於28奈米需求強勁,營運不斷創新高,隨著三星的大舉轉進與格羅方德積極切入,28奈米供不應求狀況預料將在明年緩解,拓墣認為,台積電今年在28奈米製程市占高達8成的榮景難再現。

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